林德致力于为电子行业提供最优质的产品、技术和服务。通过我们的ISO体系认证和质量保证体系，过程控制，林德保持严格的程序来监控和提高产品质量。
林德的电子气体在半导体器件、光伏、液晶面板的制造中发挥着重要作用。这些气体用于制造过程的所有阶段 – 从形成单个硅晶体的生长，到晶圆制造，至最终组装和包装。
电子工艺气体的类型 |
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前驱体气体 |
掺杂气体 |
蚀刻剂气体 |
工艺气体 |
反应性气体 |
硅烷（SiH4） |
砷烷（AsH3） |
三氯化硼（BCl3） |
氩（Ar） |
氨（NH3） |
锗烷（GeH4） |
三氯化硼（BCl3） |
氯（Cl2） |
氦（He） |
二氧化碳 (CO2) |
四氟化锗（GeF4） |
三氟化硼（BF3） |
四氟化碳（CF4） |
氢（H2） |
一氧化二氮 (N2O) |
二氯硅烷（SiH2Cl2） |
乙硼烷（B2H6） |
三氟甲烷（CHF3） |
氮（N2） |
二氧化硫（SO2） |
三氯硅烷（SiHCl3） |
磷烷（PH3） |
氟甲烷（CH3F） |
氧（O2） |
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四氯化硅（SiCl4） |
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二氟甲烷（CH2F2） |
氙（Xe） |
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六氟乙烷（C2F6） |
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八氟环丁烷（C4F8） |
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溴化氢（HBr） |
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氯化氢（HCl） |
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三氟化氮（NF3） |
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六氟化硫（SF6） |
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前驱体气体
硅烷和二氯硅烷等硅前体气体用于外延和化学气相沉积工艺，以沉积硅或硅化合物层。
掺杂气体
掺杂剂气体是可控杂质的来源，用于改变半导体材料的局部电气性能。掺杂剂对分子晶格的局部结构贡献了电子，改变了材料的导电性能。
掺杂剂有液态、固态和气态。常用的掺杂气体有砷烷、磷烷、乙硼烷。掺杂剂用于外延沉积、扩散和离子注入。砷烷和磷烷的增长得益于气相外延法（VPE）和金属有机气相沉积法（VMOCVD）的广泛应用。
蚀刻剂气体
蚀刻工艺中使用到多种气体。卤素烃通常用于蚀刻硅化合物或用于腔室的清洁，氯或氟化合物用于金属蚀刻。气体的选择在很大程度上取决于给定的气体混合物选择性地蚀刻一层薄膜的能力，并能够对轮廓进行控制。三氟化氮是CVD腔室清洁的首选气体。
工艺气体
高纯、超高纯的氩、氦、氢和氮，在电子工艺中用于系统的吹扫和保压，防止管路系统受到污染。溅射镀膜工艺中，氩是用来电离和启动溅射过程的主要气体。
电子用混合气体
在林德电子特气（苏州）工厂，混合气体按照电子行业要求的严格的公差进行混合配制。林德的混合气配制系统旨在减少气瓶间和生产批次间的差异。混合气配制系统使用计算机建模能保证产品中的杂质水平和组分公差得到有效的控制，符合行业要求的规格。
